| 发明名称 | 一种铪基高k栅介质堆栈结构及其MOSFET器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种铪基高k栅介质堆栈结构及其MOSFET器件。该铪基高k栅介质堆栈结构包括在硅衬底上表面依次设置的界面过渡层、铪基高k栅介质层和栅电极，以及在硅衬底下表面设置的背电极，其中铪基高k栅介质层是通过过渡金属氧化物掺杂氧化铪形成的叠层结构。本发明采用半导体工业标准工艺，通过过渡金属氧化物(M-O：TiO<sub>2</sub>、ZrO<sub>2</sub>)对氧化铪进行掺杂，得到介电常数高于氧化铪的栅介质薄膜，在同等栅极氧化物厚度下实现更低的EOT，制备综合性能更优的铪基栅介质堆栈结构以及其MOSFET器件。 | ||
| 申请公布号 | CN105762179A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
| 申请号 | CN201410782187.5 | 申请日期 | 2014.12.16 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | 发明人 | 陈小强;杜军;熊玉华;魏峰 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 刘秀青;熊国裕 |
| 主权项 | 一种铪基高k栅介质堆栈结构，其特征在于，包括在硅衬底上表面依次设置的界面过渡层、铪基高k栅介质层和栅电极，以及在硅衬底下表面设置的背电极，其中铪基高k栅介质层是通过过渡金属氧化物掺杂氧化铪形成的叠层结构。 | ||
| 地址 | 100088 北京市西城区新街口外大街2号 | ||