半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中，所述半导体器件的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有电容区；在所述电容区的半导体衬底表面形成闪存单元，所述闪存单元包括：位于半导体衬底表面的隧穿氧化层、以及位于所述隧穿氧化层表面的字线层；在所述字线层表面形成介质层；在所述介质层表面形成电极层；形成分别与字线层和电极层电连接的导电插塞。所述半导体器件的形成方法工艺简单且生产成本降低。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有电容区；在所述电容区的半导体衬底表面形成闪存单元，所述闪存单元包括：位于半导体衬底表面的隧穿氧化层、以及位于所述隧穿氧化层表面的字线层；在所述字线层表面形成介质层；在所述介质层表面形成电极层；形成分别与字线层和电极层电连接的导电插塞；所述半导体衬底还具有存储区，在所述电容区的半导体衬底表面形成闪存单元的同时，在存储区的半导体衬底表面形成闪存单元，而且在电容区和存储区形成闪存单元的工艺相同，所形成的闪存单元的结构相同；所述半导体衬底还具有逻辑区，在所述电容区的字线层表面形成介质层的同时，在逻辑区的半导体衬底表面形成介质层，在所述电容区的介质层表面形成电极层的同时，在逻辑区的介质层表面形成电极层，所述逻辑区的介质层作为逻辑晶体管的栅介质层，所述逻辑区的电极层作为逻辑晶体管的栅极层。