用于定向自组装嵌段共聚物的中性层组合物及其方法

摘要

本发明涉及新的中性层组合物和使用该中性层组合物来对定向自组装嵌段共聚物(BCP)的微畴进行对准的方法。该组合物和方法可用于制作电子装置。该中性层组合物包含至少一种无规共聚物，其具有至少一个结构单元(1)、至少一个结构单元(2)和至少一个结构单元(3)其中R₁选自C₁‑C₈烷基、C₁‑C₈氟烷基部分、C₁‑C₈部分氟化的烷基、C₄‑C₈环烷基、C₄‑C₈环氟烷基、C₄‑C₈部分氟化的环烷基和C₂‑C₈羟基烷基；R₂、R₃和R₅独立的选自H、C₁‑C₄烷基、CF₃和F；R₄选自H、C₁‑C₈烷基、C₁‑C₈部分氟化的烷基和C₁‑C₈氟烷基，n是1‑5，R₆选自H、F、C₁‑C₈烷基和C₁‑C₈氟烷基和m是1‑3。

主权项

一种用于嵌段共聚物的定向自组装的能够加热后形成交联的无规共聚物中性层的中性层组合物，其中所述中性层包含(i)至少一种无规共聚物，该无规共聚物具有至少一个结构单元(1)、至少一个结构单元(2)和至少一个结构单元(3)其中R₁选自C₁‑C₈烷基、C₁‑C₈氟烷基、C₁‑C₈部分氟化的烷基部分、C₄‑C₈环烷基、C₄‑C₈环氟烷基、C₄‑C₈部分氟化的环烷基和C₂‑C₈羟基烷基；R₂、R₃和R₅独立的选自H、C₁‑C₄烷基、CF₃和F；R₄选自H、C₁‑C₈烷基、C₁‑C₈部分氟化的烷基部分和C₁‑C₈氟烷基，n是1‑5，R₆选自H、F、C₁‑C₈烷基和C₁‑C₈氟烷基和m是1‑3，其中在中性层中结构单元(1)的范围在5摩尔％‑80摩尔％，结构单元(2)的范围在5摩尔％‑80摩尔％，结构单元(3)的范围在15摩尔％‑45摩尔％；和(ii)溶剂。