发明名称 | 一种硫化氢气体的半导体传感器及测试电路 | ||
摘要 | 本发明公开了一种硫化氢气体的半导体传感器及测试电路,其传感器的前驱体采用化学方法制备的三氧化钨纳米材料,然后在表面上修饰氧化铜纳米颗粒的复合结构。气敏元件采用旁热式结构,该器件在55℃时,其灵敏度为10<sup>5</sup>,并具有很好的选择性。通过单脉冲调制电压,响应恢复时间可以控制在65秒以内。本发明的传感器具有高灵密度、高选择性、并在低温下实现快速的响应、恢复。 | ||
申请公布号 | CN105758894A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
申请号 | CN201610236486.8 | 申请日期 | 2016.04.15 |
申请人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明人 | 俞伟伟;赵强;孙艳;陈鑫;张天宁;戴宁 |
分类号 | G01N27/04(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/04(2006.01)I |
代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 郭英 |
主权项 | 一种硫化氢气体的半导体传感器,包括金电极(1)、气敏层(2);Ni‑Cr合金加热电阻丝(3)、与气敏层(2)连接的两对管脚(4),其特征在于:在气敏层(2)上层连接有金电极(1),Ni‑Cr合金加热电阻丝(3)位于气敏层(2)上层,气敏层(2)的下层连接的两对管脚(4);气敏层(2)为三氧化钨纳米与氧化铜纳米材料。 | ||
地址 | 200083 上海市虹口区玉田路500号 |