一种具有半绝缘层的氮化镓基高电子迁移率晶体管

摘要

一种具有半绝缘层的氮化镓基高电子迁移率晶体管，属于半导体器件领域，包括衬底上依次形成的成核层、GaN层和势垒层，以及势垒层上的源极、栅极和漏极，其中源极、漏极与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触，其特征是，它还包括一层位于势垒层上、栅极和漏极之间的，并与栅极和漏极相连的半绝缘材料层。所述势垒层和半绝缘材料层之间还可有一层绝缘材料层。其中的半绝缘材料层，相当于一个电阻型场板，利用这一场板对其下面的势垒层中的电场分布产生的调制作用，降低栅漏之间电场的峰值，从而提高了栅漏之间击穿所需的电压，也即提高晶体管的击穿电压。

主权项

一种具有半绝缘层的氮化镓基高电子迁移率晶体管，包括衬底(7)上依次形成的成核层(6)、GaN层(5)和势垒层(4)，以及势垒层(4)上的源极(1)、栅极(2)和漏极(3)，其中源极(1)、漏极(3)与势垒层(4)形成欧姆接触，栅极(2)与势垒层形成肖特基接触，其特征是，它还包括一层位于势垒层(4)上、栅极(2)和漏极(3)之间的，并与栅极(2)和漏极(3)相连的半绝缘材料层(8)。