一种两级运算放大器

摘要

本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及模拟集成电路中的运算放大器的频率补偿技术。本发明所述的一种两级运算放大器，包括依次相连接的偏置电路、第一级放大电路和第二级放大电路，其特征在于，所述第一级放大电路包括电容倍增模块，所述电容倍增模块由电流控制电流源和电压控制电流源组成。本发明的有益效果为，提高电容倍增系数，减小了所需补偿电容，节省芯片面积，不需要额外的偏置电路，提高了运算放大器的增益和单位增益带宽，同时减小系统性失调。本发明尤其适用于两级运算放大器。

主权项

一种两级运算放大器，包括依次相连接的偏置电路、第一级放大电路和第二级放大电路，其特征在于，所述第一级放大电路包括电容倍增模块，所述电容倍增模块由电流控制电流源和电压控制电流源组成；所述第一级放大电路包括第一PMOS管M0、第二PMOS管M1、第三PMOS管M2、第四PMOS管M11、第五PMOS管M12、第一NMOS管M3、第二NMOS管M4、第三NMOS管M5、第四NMOS管M6、第五NMOS管M7、第六NMOS管M8、第七NMOS管M9、第八NMOS管M10和第一电容Cm；其中，第一NMOS管M3和第二NMOS管M4构成电压控制电流源；第三NMOS管M5和第四NMOS管M6以及第五NMOS管M7和第六NMOS管M8构成电流控制电流源；所述第二级放大电路包括第六PMOS管M13、第七PMOS管M15、第九NMOS管M14和第二电容Cb；所述偏置电路包括第八PMOS管Mb0、第九PMOS管Mb1、第十NMOS管Mb2、第十一NMOS管Mb3和电流源；第一PMOS管M0的源极、第四PMOS管M11的源极、第五PMOS管M12的源极、第七PMOS管M15的源极、第八PMOS管Mb0的源极和第九PMOS管Mb1的源极均接电源VDD；第八PMOS管Mb0的栅极和漏极、第九PMOS管Mb1的栅极、第一PMOS管M0的栅极与电流源的正向端连接；第一PMOS管M0的漏极与第二PMOS管M1的源极和第三PMOS管M2的源极连接，第二PMOS管M1的栅极为运算放大器的正向输入端，第三PMOS管M2的栅极为运算放大器的反向输入端；第二PMOS管M1的漏极与第一电容Cm的一端、第一NMOS管M3的漏极、第二NMOS管M4的栅极、第三NMOS管M5的漏极和栅极以及第四NMOS管M6的栅极连接；第三PMOS管M2的漏极与第二NMOS管M4的漏极、第一NMOS管M3的栅极、第五NMOS管M7的漏极和栅极以及第六NMOS管M8的栅极连接；第四NMOS管M6的漏极连接第七NMOS管M9的源极，第七NMOS管M9的栅极与第八NMOS管M10的栅极、第九PMOS管Mb1的漏极、第十NMOS管Mb2的漏极和栅极连接，第七NMOS管M9的漏极与第四PMOS管M11的漏极和栅极以及第五PMOS管M12的栅极连接；第五PMOS管M12的漏极连接第八NMOS管M10的漏极、第七PMOS管M15的栅极和第二电容Cb的一端，第八NMOS管M10的源极和第六NMOS管M8的漏极连接；第二电容Cb的另一端与第六PMOS管M13的栅极和漏极以及第九NMOS管M14的栅极连接；第六PMOS管M13的源极与第十一NMOS管Mb3的栅极和漏极以及第十NMOS管Mb2的源极连接；第九NMOS管M14的漏极、第七PMOS管M15的漏极以及第一电容Cm的另一端连接作为运算放大器的输出端；偏置电路的电流源的反向端、第十一NMOS管Mb3的源极、第一NMOS管M3的源极、第二NMOS管M4的源极、第三NMOS管M5的源极、第四NMOS管M6的源极、第五NMOS管M7的源极、第六NMOS管M8的源极和第九NMOS管M14的源极均接地。