一种双钙钛矿磁电阻薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种双钙钛矿磁电阻薄膜的制备方法，先将双钙钛矿母体材料研磨至颗粒度≤0.2μm，与丙酮和碘混合，分散均匀，得悬浮液；再将单晶硅衬底和铜板分别连接正电极和负电极，在直流电压下，对悬浮液电泳，在单晶硅表面沉积一层均匀的黑色薄膜；最后将黑色薄膜在1030～1160℃退火3～6小时，即得。本发明利用电泳方法在单晶Si衬底上制备双钙钛矿磁电阻薄膜，薄膜生长过程不需要真空，生长条件容易控制；方法简单，无需复杂、昂贵的设备，成本低廉，制备的双钙钛矿磁电阻薄膜居里温度高，应用范围广。

主权项

一种双钙钛矿磁电阻薄膜的制备方法，步骤如下：（1）将双钙钛矿母体材料A₂BB′O₆研磨至颗粒度≤0.2μm，然后与丙酮和碘混合，使其分散均匀，所述的分散方式为超声分散，超声频率为30~70 kHz，超声时间为1~15分钟，得双钙钛矿母体材料悬浮液；所述的双钙钛矿母体材料A₂BB′O₆、丙酮和碘的质量比为（0.013~0.042）：（25~75）：（0.0005~0.003），所述的双钙钛矿母体材料A₂BB′O₆为Sr₂FeMoO₆、Ba₂FeMoO₆、Sr₂CrReO₆或Ca₂FeMoO₆；（2）将单晶硅衬底和铜板分别连接正电极和负电极，在700~1500V的直流电压下，对双钙钛矿母体材料悬浮液电泳2~7分钟，在单晶硅表面沉积一层均匀的黑色薄膜；（3）将步骤（2）得到的黑色薄膜在1030~1160℃退火3~4小时，退火气氛为H₂和Ar的混合流动气体，即得。