Thin film transistor and manufacturing method of the same

摘要

박막트랜지스터 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 박막트랜지스터는 게이트; 게이트 절연막; 제1산화물반도체층 및 제2산화물반도체층을 포함하는 채널층; 상기 채널층의 양측에 각각 접촉 형성된 소스 및 드레인;을 포함하며, 상기 제1산화물반도체층의 결정립 크기는 상기 제2산화물반도체층의 결정립 크기에 비해 상대적으로 크다.