发明名称 | 绝缘栅双极晶体管的制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种绝缘栅双极晶体管的制造方法,包括下述步骤:1、制作轻掺杂衬底晶片;2、在晶片上形成电介质层;3、在电介质层上淀积未掺杂的多晶硅层;4、对未掺杂的多晶硅层和电介质层进行图案化处理,以形成栅极沟槽;5、淀积硅以在单晶硅表面上形成单晶硅,并在晶片表面的剩余部分上形成多晶硅;6、形成栅电介质;7、形成栅电极,8、形成多晶硅基区,9、形成重掺杂的多晶硅发射区和多晶硅扩散区,10、淀积层间电介质;11、对层间电介质进行图案化处理,12、形成发射极,13、减薄晶片以形成漂移区,14、通过离子注入和退火在背侧形成缓冲区,15、在背侧形成集电区,16、在背侧形成集电极。可以使器件具有理论上最低通态压降。 | ||
申请公布号 | CN105762077A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
申请号 | CN201610310327.8 | 申请日期 | 2016.05.12 |
申请人 | 中山港科半导体科技有限公司 | 发明人 | 周贤达;舒小平;徐远梅 |
分类号 | H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
代理机构 | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人 | 胡坚 |
主权项 | 一种绝缘栅双极晶体管的制造方法,其特征是:所述的制造方法包括下述步骤:(1)、制作轻掺杂衬底晶片;(2)、在所述晶片上形成电介质层(333);(3)、在所述电介质层(333)上淀积未掺杂的多晶硅层;(4)、对所述未掺杂的多晶硅层和电介质层(333)进行图案化处理,以形成栅极沟槽(541);(5)、淀积硅以在单晶硅表面上形成单晶硅,并在所述晶片表面的剩余部分上形成多晶硅;(6)、形成栅电介质(332);(7)、通过多晶硅淀积和回蚀刻形成栅电极(322),(8)、通过离子注入和驱入形成多晶硅基区(313),(9)、形成重掺杂的多晶硅发射区(311)和多晶硅扩散区(312),(10)、淀积层间电介质(331);(11)、对所述层间电介质(331)进行图案化处理,(12)、通过淀积金属层和图案化处理形成发射极(321),(13)、减薄所述晶片以形成漂移区(314),(14)、通过离子注入和退火在背侧形成缓冲区(315),(15)、通过离子注入和退火在所述背侧形成集电区(316),(16)、通过淀积金属层并合金而在所述背侧形成所述集电极(323)。 | ||
地址 | 528437 广东省中山市东镇东一路32号 |