| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成具有开口的掩膜层，所述开口暴露出部分半导体衬底的表面；沿所述开口刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底内形成第一通孔；对所述第一通孔的侧壁表面进行氧化处理，形成氧化层，然后去除所述氧化层，形成第二通孔，使所述第二通孔的侧壁粗糙度小于第一通孔的侧壁粗糙度，或者对所述第一通孔侧壁进行退火处理，形成第二通孔，使所述第二通孔的侧壁粗糙度小于第一通孔的侧壁粗糙度。上述方法可以降低在半导体衬底内形成的第二通孔的侧壁粗糙度。 | ||
| 申请公布号 | CN105762107A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
| 申请号 | CN201410802055.4 | 申请日期 | 2014.12.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成具有开口的掩膜层，所述开口暴露出部分半导体衬底的表面；沿所述开口刻蚀所述半导体衬底，在所述半导体衬底内形成第一通孔；对所述第一通孔的侧壁表面进行氧化处理，形成氧化层，然后去除所述氧化层，形成第二通孔，使所述第二通孔的侧壁粗糙度小于第一通孔的侧壁粗糙度，或者对所述第一通孔侧壁进行退火处理，形成第二通孔，使所述第二通孔的侧壁粗糙度小于第一通孔的侧壁粗糙度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||