发明名称 | 低相位噪声射频频率合成电路 | ||
摘要 | 本发明公开了低相位噪声射频频率合成电路,包括低相噪晶振,低相噪晶振与一级信号放大器的输入端连接,一级信号放大器的输出端与一级SBD三倍频器的输入端连接,一级SBD三倍频器的输出端与二级信号放大器的输入端连接,二级信号放大器的输出端与调制器的第一输入端连接,调制器的第二输入端接入三角波,调制器的输出端与二级SBD三倍频器的输入端连接,二级SBD三倍频器的输出端与三级信号放大器的输入端连接。具有相位噪声低、谐杂波特性优良、易于调试等优点。利用这种电路可显著改善铷频标微波探寻信号的相位噪声,降低交调效应对铷频标频率稳定度的限制。 | ||
申请公布号 | CN105763190A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
申请号 | CN201610195107.5 | 申请日期 | 2016.03.31 |
申请人 | 中国科学院武汉物理与数学研究所 | 发明人 | 邱紫敬 |
分类号 | H03L7/18(2006.01)I | 主分类号 | H03L7/18(2006.01)I |
代理机构 | 武汉宇晨专利事务所 42001 | 代理人 | 李鹏;王敏锋 |
主权项 | 低相位噪声射频频率合成电路,包括低相噪晶振(1),其特征在于,低相噪晶振(1)与一级信号放大器(2)的输入端连接,一级信号放大器(2)的输出端与一级SBD三倍频器(3)的输入端连接,一级SBD三倍频器(3)的输出端与二级信号放大器(4)的输入端连接,二级信号放大器(4)的输出端与调制器(5)的第一输入端连接,调制器(5)的第二输入端接入三角波,调制器(5)的输出端与二级SBD三倍频器(6)的输入端连接,二级SBD三倍频器(6)的输出端与三级信号放大器(7)的输入端连接。 | ||
地址 | 430071 湖北省武汉市小洪山 |