发明名称 |
一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法 |
摘要 |
本发明涉及一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法。本发明属于半导体材料技术领域。一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法,其特点是:多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀过程为:在砷化镓衬底上生长0.8-1.2μm的GaAs缓冲层,180-220nm的GaInP阻挡层,1400-1800nm的AlGaInAs渐变缓冲层;将外延片用光刻胶进行保护,同时露出需要腐蚀测厚的部分;用化学腐蚀液对裸露部分进行腐蚀,化学腐蚀液采用柠檬酸、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>和磷酸溶液,腐蚀液温度为20~25℃;腐蚀完毕后,用丙酮溶液除去光刻胶,用无水乙醇及去离子水将外延片清洗干净后,即可测量AlGaInAs渐变缓冲层厚度。本发明具有方法简单,操作方便,安全稳定,重复性好,不腐蚀GaInP阻挡层,可以实现准确测量渐变缓冲层的厚度等优点。 |
申请公布号 |
CN105762226A |
申请公布日期 |
2016.07.13 |
申请号 |
CN201410798519.9 |
申请日期 |
2014.12.19 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十八研究所 |
发明人 |
王帅;刘如彬;孙强;肖志斌;高鹏;张启明;王立功;李慧 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 |
代理人 |
李凤 |
主权项 |
一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法,其特征是:多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀过程为:在砷化镓衬底上生长0.8‑1.2μm的GaAs缓冲层,180‑220nm的GaInP阻挡层,1400‑1800nm的AlGaInAs渐变缓冲层;将外延片用光刻胶进行保护,同时露出需要腐蚀测厚的部分;用化学腐蚀液对裸露部分进行腐蚀,化学腐蚀液采用柠檬酸、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>和磷酸溶液,腐蚀液温度为20~25℃;腐蚀完毕后,用丙酮溶液除去光刻胶,用无水乙醇及去离子水将外延片清洗干净后,即可测量AlGaInAs渐变缓冲层厚度。 |
地址 |
300384 天津市西青区海泰工业园华科七路6号 |