发明名称 一种高温自补偿多层复合薄膜应变计及其制备方法
摘要 本发明提供一种高温自补偿多层复合薄膜应变计及其制备方法,所述应变计包括高温合金构件基底、氧化铝绝缘层、第一TaN应变层、PaCr应变层、第二TaN应变层、氧化铝或氧化硅保护层和Pt电极。以高温合金构件为基底,在基底上双离子束溅射沉积氧化铝绝缘薄膜,在绝缘薄膜上射频磁控溅射沉积TaN和PaCr自补偿应变层,在应变层上双离子束溅射氧化铝或氧化硅保护层。本发明适用于在构件工作过程中的实时测量;采用TaN和PaCr合金应变层,克服了温度变化对构件应变测量的影响,使高温测量精度大大提高;采用离子束溅射氧化铝或氧化硅保护层结构致密、结合力好,对功能结构起到了非常好的保护作用。
申请公布号 CN105755438A 申请公布日期 2016.07.13
申请号 CN201610194927.2 申请日期 2016.03.30
申请人 上海交通大学 发明人 张丛春;王岩磊;丁桂甫;段力;杨申勇;刘哲
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/46(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;C23C14/04(2006.01)I;G01B7/16(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人 徐红银;郭国中
主权项 一种高温自补偿多层复合薄膜应变计,其特征在于,所述应变计包括高温合金构件基底(1)、氧化铝绝缘层(2)、第一TaN应变层(3)、PaCr应变层(4)、第二TaN应变层(5)、氧化铝或氧化硅保护层(6)和Pt电极(7),其中:氧化铝绝缘层(2)沉积于高温合金构件基底(1)上;第一TaN应变层(3)沉积于氧化铝绝缘层(2)上;PaCr应变层(4)沉积于第一TaN应变层(3)上;第二TaN应变层(5)沉积于PaCr应变层(4)上;氧化铝或氧化硅保护层(6)覆盖于第二TaN应变层(5)之上;Pt电极(7)沉积于氧化铝绝缘层(2)上并以侧壁同时与第一TaN应变层(3)、PaCr应变层(4)、第二TaN应变层(5)和氧化铝或氧化硅保护层(6)相连,同时Pt电极(7)的上表面暴露于氧化铝或氧化硅保护层(6)之外用于引线。
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