发明名称 |
具备光电转换和放大功能的异质结三极管 |
摘要 |
具备光电转换和放大功能的异质结三极管,属于红外探测技术领域。所述异质结三极管包括N<sup>+</sup>型GaAs衬底,在衬底表面依次生长的P型GaAS层、N型InSb或 N型InAs/GaSb超晶格层,以及设置在N型InSb或 N型InAs/GaSb超晶格层之上的透明电极层,在衬底的底部和透明电极层的上部分别设置有金属引线。本发明的红外探测用异质结晶体三极管,可采用分子束外延设备来生产,该设备通过提供极高的真空度,保证了器件制备过程的无污染,从而获得优异的半导体器件性能。使用本发明的异质结三极管,则红外光探测和电信号的初级放大就由一个器件来完成,避免了弱信号的传输,从而使得躁声降低,这对于提高器件的光电响应性能是十分有利的。 |
申请公布号 |
CN103247675B |
申请公布日期 |
2016.07.13 |
申请号 |
CN201310193217.4 |
申请日期 |
2013.05.23 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
李洪涛;矫淑杰;王宇 |
分类号 |
H01L29/737(2006.01)I;H01L31/11(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/737(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
具备光电转换和放大功能的异质结三极管,其特征在于所述异质结三极管包括衬底(101),在衬底(101)表面依次生长的与衬底材料相同的P型层(102)、 N型InAs/GaSb超晶格层(103),以及设置在 N型InAs/GaSb超晶格层(103)之上的透明电极层(104),在衬底(101)的底部和透明电极层(104)的上部分别设置有金属引线(105),所述衬底(101)的材质为N<sup>+</sup>型GaAs、N<sup>+</sup>型Si或N<sup>+</sup>型Ge。 |
地址 |
150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |