发明名称 具备光电转换和放大功能的异质结三极管
摘要 具备光电转换和放大功能的异质结三极管,属于红外探测技术领域。所述异质结三极管包括N<sup>+</sup>型GaAs衬底,在衬底表面依次生长的P型GaAS层、N型InSb或 N型InAs/GaSb超晶格层,以及设置在N型InSb或 N型InAs/GaSb超晶格层之上的透明电极层,在衬底的底部和透明电极层的上部分别设置有金属引线。本发明的红外探测用异质结晶体三极管,可采用分子束外延设备来生产,该设备通过提供极高的真空度,保证了器件制备过程的无污染,从而获得优异的半导体器件性能。使用本发明的异质结三极管,则红外光探测和电信号的初级放大就由一个器件来完成,避免了弱信号的传输,从而使得躁声降低,这对于提高器件的光电响应性能是十分有利的。
申请公布号 CN103247675B 申请公布日期 2016.07.13
申请号 CN201310193217.4 申请日期 2013.05.23
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 李洪涛;矫淑杰;王宇
分类号 H01L29/737(2006.01)I;H01L31/11(2006.01)I 主分类号 H01L29/737(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 具备光电转换和放大功能的异质结三极管,其特征在于所述异质结三极管包括衬底(101),在衬底(101)表面依次生长的与衬底材料相同的P型层(102)、 N型InAs/GaSb超晶格层(103),以及设置在 N型InAs/GaSb超晶格层(103)之上的透明电极层(104),在衬底(101)的底部和透明电极层(104)的上部分别设置有金属引线(105),所述衬底(101)的材质为N<sup>+</sup>型GaAs、N<sup>+</sup>型Si或N<sup>+</sup>型Ge。
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