使用NO活化的用于硅氧化物的各向同性原子层蚀刻

摘要

本发明涉及使用NO活化的用于硅氧化物的各向同性原子层蚀刻，提供了用于以原子级精确度可控地各向同性蚀刻硅氧化物和氧化锗层的方法。所述方法利用氧化物表面的NO活化。一旦活化，含氟气体或蒸气就蚀刻活化的表面。蚀刻是自限制的，因为一旦移除活化的表面，蚀刻就停止，因为所述氟物质不自发与未活化的氧化物表面反应。这些方法可用于互连预清洁应用、栅极介电处理、存储器装置的制造、或在期望精确移除材料的一个或多个原子层的情况下的任何其它应用。

主权项

一种可控地蚀刻衬底上的半导体氧化物层的方法，所述方法包括：(a)使容纳在处理室中的所述衬底与过量NO物质接触以通过吸附、形成Si/Ge‑O‑N‑O键来使所述衬底上的硅或锗氧化物表面改性；(b)在经改性的氧化物表面用Si/Ge‑O‑N‑O键布满之后，使所述衬底与F蚀刻剂接触；(c)使氮氧化物从所述改性的氧化物表面解吸，同时留下有利于蚀刻的活化的表面；(d)使所述F蚀刻剂蚀刻所述活化的表面。