接触孔结构的制作方法及半导体器件

摘要

本申请公开了一种接触孔结构的制作方法及半导体器件。该制作方法包括以下步骤：在半导体基体上形成接触孔，并在位于接触孔内的半导体基体上形成金属硅化物；在金属硅化物上以及接触孔的内壁上形成粘附金属层；执行氮等离子体处理，以在粘附金属层中形成金属氮化物层；在金属氮化物层上形成扩散阻挡层。该制作方法通过执行氮等离子体处理以在粘附金属层中形成金属氮化物层，减少了所形成的粘附金属层的厚度，从而减少了粘附金属层与金属硅化物层的反应，并减少了由于粘附金属层跟金属硅化物层反应导致的金属硅化物中硅的损失，进而提高了金属硅化物层的电阻率，并进一步降低了所形成半导体器件的失效率。

主权项

一种接触孔结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：在半导体基体上形成接触孔，并在位于所述接触孔内的所述半导体基体上形成金属硅化物；在所述金属硅化物上以及所述接触孔的内壁上形成粘附金属层；执行氮等离子体处理，以在所述粘附金属层中形成金属氮化物层；在所述金属氮化物层上形成扩散阻挡层。