| 发明名称 | 横向高压半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种横向高压半导体器件，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一掺杂区，形成在所述衬底内靠近所述横向高压半导体器件的高压端一侧，第一导电类型的第二掺杂区，形成在所述衬底内靠近所述横向高压半导体器件的低压端一侧，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区相邻；第二导电类型的第三掺杂区，形成在所述第一掺杂区之下，自所述横向高压半导体器件的高压端一侧向所述横向高压半导体器件的低压端一侧延伸，至少一个第一导电类型的第四掺杂区，形成在所述第三掺杂区内靠近所述高压端一侧。本发明的横向高压半导体器件缓解了击穿电压和导通电阻两者之间的矛盾。 | ||
| 申请公布号 | CN105762192A | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
| 申请号 | CN201410804861.5 | 申请日期 | 2014.12.19 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 潘光燃;石金成;文燕;王焜;高振杰 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 杨贝贝;黄健 |
| 主权项 | 一种横向高压半导体器件，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的第一掺杂区，形成在所述衬底内靠近所述横向高压半导体器件的高压端一侧；第一导电类型的第二掺杂区，形成在所述衬底内靠近所述横向高压半导体器件的低压端一侧，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区相邻；第二导电类型的第三掺杂区，形成在所述第一掺杂区之下，自所述横向高压半导体器件的高压端一侧向所述横向高压半导体器件的低压端一侧延伸；至少一个第一导电类型的第四掺杂区，形成在所述第三掺杂区内靠近所述高压端一侧。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层 | ||