| 发明名称 | 含粒子的双面ITO导电膜 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种含粒子的双面ITO导电膜，包括基材层，基材层两面依序为光学调整硬涂层、光学调整层、ITO导电层，其中，基材厚度介于23um至250um之间，光学调整硬涂层中添加有机或无机粒子，光学调整硬涂层的厚度为500nm至15um之间，光学调整硬涂层的折射率介于1.6至1.7之间，ITO导电层厚度小于40nm，双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于120nm。本实用新型所述的双面ITO导电膜其光学调整层薄，透光性好，不影响粒子凸起程度。 | ||
| 申请公布号 | CN205384883U | 申请公布日期 | 2016.07.13 |
| 申请号 | CN201620047214.9 | 申请日期 | 2016.01.16 |
| 申请人 | 汕头万顺包装材料股份有限公司;汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司 | 发明人 | 胡文玮 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;G06F3/041(2006.01)I | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市深研专利事务所 44229 | 代理人 | 张喜安 |
| 主权项 | 一种含粒子的双面ITO导电膜，包括基材层，其特征在于：基材层两面依序为光学调整硬涂层、光学调整层、ITO导电层，其中，基材厚度介于23um至250um之间，光学调整硬涂层中添加有机或无机粒子，光学调整硬涂层的厚度为500nm至15um之间，光学调整硬涂层的折射率介于1.6至1.7之间，ITO导电层厚度小于40nm，双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于120nm。 | ||
| 地址 | 515078 广东省汕头市濠江区汕头保税区万顺工业园 | ||