抗蚀剂下层膜形成用组合物

摘要

本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述聚合物和溶剂，所述聚合物具有下述式(1a)、式(1b)和式(1c)所示的重复结构单元中的任1种或2种以上，式中，2个R¹各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R²各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R³表示可以具有取代基的芳香族烃基，R⁴表示氢原子、苯基或萘基，在式(1b)中2个R³所表示的基团和2个R⁴所表示的原子或基团可以彼此不同，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，n、n₁和n₂表示2～500的整数，p表示3～500的整数，X表示单键或杂原子，2个Q各自独立地表示结构单元。

主权项

一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述聚合物和溶剂，所述聚合物具有下述式(1a)、式(1b)和式(1c)所示的重复结构单元中的任1种或2种以上，各式中，2个R¹各自独立地表示碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～6的烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R²各自独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～6的烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R³表示可以具有取代基的芳香族烃基，R⁴表示氢原子、苯基或萘基，与同一碳原子结合的R³和R⁴各自表示苯基时可以彼此结合而形成芴环，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，p表示3～500的整数，X表示单键或杂原子，在式(1b)中2个R³所表示的基团和2个R⁴所表示的原子或基团可以彼此不同，n、n₁和n₂表示2～500的整数，2个Q各自独立地表示下述式(2)所示的结构单元，式中，2个R¹、2个R²、2个R³、2个R⁴、2个k、n₁、n₂和X与式(1b)中的含义相同，2个Q¹各自独立地表示上述式(2)所示的结构单元。