发明名称 一种铜基纳米多孔薄膜及其制备方法
摘要 本发明涉及一种铜基纳米多孔薄膜及其制备方法,属于纳米多孔金属薄膜材料的制备技术领域。本发明的铜基纳米多孔薄膜,呈多层结构,单层厚度200‑400nm(约为250 nm),中间层多孔孔径约为10‑25nm,最外两层的多孔孔径为175‑290 nm。上述铜基纳米多孔薄膜,是以各元素原子百分含量为:镁60‑30%、铜35–45%、钕25–5%的镁‑铜‑钕非晶合金为前驱体,通过化学脱合金法脱除镁、钕而成。其完整性强、纳米孔均匀连通并且尺寸可控、具有较高的比表面积、化学性质稳定的纯净的呈多层结构且层与层之间容易剥离。本发明的制备方法:工艺简单、绿色无污染、成本低廉、生产效率高,适合批量化生产。
申请公布号 CN105734335A 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201610145387.9 申请日期 2016.03.15
申请人 济南大学 发明人 左敏;迟浩毅;袁珍贵;王艳;赵德刚;耿浩然
分类号 C22C3/00(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C22C3/00(2006.01)I
代理机构 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人 张菡
主权项 一种铜基纳米多孔薄膜,其特征在于,呈多层结构,单层厚度200‑400nm,中间层多孔孔径约为10‑25nm,外层多孔孔径为175‑290 nm。
地址 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号