发明名称 |
一种铜基纳米多孔薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种铜基纳米多孔薄膜及其制备方法,属于纳米多孔金属薄膜材料的制备技术领域。本发明的铜基纳米多孔薄膜,呈多层结构,单层厚度200‑400nm(约为250 nm),中间层多孔孔径约为10‑25nm,最外两层的多孔孔径为175‑290 nm。上述铜基纳米多孔薄膜,是以各元素原子百分含量为:镁60‑30%、铜35–45%、钕25–5%的镁‑铜‑钕非晶合金为前驱体,通过化学脱合金法脱除镁、钕而成。其完整性强、纳米孔均匀连通并且尺寸可控、具有较高的比表面积、化学性质稳定的纯净的呈多层结构且层与层之间容易剥离。本发明的制备方法:工艺简单、绿色无污染、成本低廉、生产效率高,适合批量化生产。 |
申请公布号 |
CN105734335A |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201610145387.9 |
申请日期 |
2016.03.15 |
申请人 |
济南大学 |
发明人 |
左敏;迟浩毅;袁珍贵;王艳;赵德刚;耿浩然 |
分类号 |
C22C3/00(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C22C3/00(2006.01)I |
代理机构 |
济南泉城专利商标事务所 37218 |
代理人 |
张菡 |
主权项 |
一种铜基纳米多孔薄膜,其特征在于,呈多层结构,单层厚度200‑400nm,中间层多孔孔径约为10‑25nm,外层多孔孔径为175‑290 nm。 |
地址 |
250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |