| 发明名称 | 一种黑硅太阳能电池的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种黑硅太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片表面进行抛光处理；(2)在硅片的抛光面上形成掺杂结；(3)利用HF溶液进行回刻，在硅片表面去除死层的同时形成黑硅结构；(4)清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触，即可得到黑硅太阳能电池。本发明在硅片表面去除死层的同时形成黑硅结构，不仅降低了表面复合，而且有效地提高了太阳能电池的转化效率。 | ||
| 申请公布号 | CN105742406A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610108899.8 | 申请日期 | 2016.02.26 |
| 申请人 | 盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 | 发明人 | 杨健;沈波涛;党继东 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人 | 陆金星 |
| 主权项 | 一种黑硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将待处理的硅片表面进行抛光处理；(2)在硅片的抛光面上形成掺杂结；结深为600～700nm；(3)利用金属离子催化刻蚀技术进行回刻，在去除死层的同时形成黑硅结构；(4)清洗刻蚀去边、镀减反射膜、丝网印刷、烧结形成欧姆接触，即可得到黑硅太阳能电池。 | ||
| 地址 | 224431 江苏省盐城市阜宁县经济开发区协鑫大道88号 | ||