射频功率放大器

摘要

本发明公开了一种射频功率放大器，集成于同一芯片上，包括：输入匹配网络、第一级放大电路、级间匹配网络、第二级放大电路、输出匹配网络、第一偏置电路和第二偏置电路；两级放大电路都采用共射极连接的SiGe HBT。本发明能实现全片集成从而提高集成度、降低成本并使应用简化，能提高电路的电压摆幅和工作电流大小，能提高电路的增益和最大输出功率，能提高器件的频率性能；SiGe HBT能采用高压管，具有较高耐压，故能提高电路的耐压能力。

主权项

一种射频功率放大器，其特征在于：射频功率放大器集成于同一芯片上，所述射频功率放大器包括：输入匹配网络、第一级放大电路、级间匹配网络、第二级放大电路、输出匹配网络、第一偏置电路和第二偏置电路；所述输入匹配网络连接于射频信号输入端和所述第一级放大电路的输入端之间；所述级间匹配网络连接于所述第一级放大电路的输出端和所述第二级放大电路的输入端之间；所述输出匹配网络连接于所述第二级放大电路的输出端和射频信号输出端之间；所述第一级放大电路包括共射极连接的第一锗硅异质结双极型晶体管，所述第一锗硅异质结双极型晶体管的发射极接地，所述第一锗硅异质结双极型晶体管的集电极和电源电压之间连接有第一扼流电感，所述第一锗硅异质结双极型晶体管的基极作为所述第一级放大电路的输入端，所述第一锗硅异质结双极型晶体管的集电极作为所述第一级放大电路的输出端；所述第一偏置电路提供偏置电压到所述第一锗硅异质结双极型晶体管的基极；所述第二级放大电路包括共射极连接的第二锗硅异质结双极型晶体管，所述第二锗硅异质结双极型晶体管的发射极接地，所述第二锗硅异质结双极型晶体管的集电极和电源电压之间连接有第二扼流电感，所述第二锗硅异质结双极型晶体管的基极作为所述第二级放大电路的输入端，所述第二锗硅异质结双极型晶体管的集电极作为所述第二级放大电路的输出端；所述第二偏置电路提供偏置电压到所述第二锗硅异质结双极型晶体管的基极。