发明名称 存储器元件
摘要 本发明公开了一种存储器元件,包括一半导体本体、在半导体本体中的一第一终端、围绕于第一终端的一通道区域,以及围绕于通道区域的一第二终端,半导体本体具有一第一导电类型,第一终端具有一第二导电类型,通道区域具有第一导电类型,第二终端具有第二导电类型。一连接器是与第一终端接触,且可连接至一上覆图案化导线中的一位线。存储器材料是配置在通道区域之上,且可包括一介电电荷储存结构。一控制栅极围绕于第一终端,且配置在存储器材料之上。一导电线围绕于控制栅极,且与第二终端接触。控制栅极与导电线可为环形(ring shaped)。
申请公布号 CN105742287A 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201510323015.6 申请日期 2015.06.12
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 吕函庭
分类号 H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I 主分类号 H01L27/115(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 任岩
主权项 一种存储器元件,包括:一环状栅极单元,该环状栅极单元包括一半导体本体、在该半导体本体中的一第一终端、一通道区域以及在该半导体本体中的一第二终端,该半导体本体具有一第一导电类型,该第一终端具有一第二导电类型,该通道区域具有该第一导电类型并围绕于该第一终端,该第二终端具有该第二导电类型并围绕于该通道区域;一连接器,与该第一终端接触;一存储器材料,置于该通道区域之上;一控制栅极,围绕于该第一终端,并置于该存储器薄膜之上;以及一导电线,围绕于该控制栅极,并与该第二终端接触。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号