| 发明名称 | 基于β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种紫外探测器，具体是指一种基于β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法。本发明是通过激光分子束外延技术在n型6H‑SiC衬底上沉积一层β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜，然后利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在n型6H‑SiC衬底和β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜上沉积一层Ti/Au薄膜作为电极使用。本发明的优点是：所制备的日盲型紫外探测器性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有好的潜在应用；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好，且重复测试具有可恢复性等特点，具有很大的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN105742398A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610157070.7 | 申请日期 | 2016.03.18 |
| 申请人 | 浙江理工大学 | 发明人 | 王顺利;安跃华;郭道友;李培刚;钱银平;王坤;唐为华 |
| 分类号 | H01L31/109(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/109(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 郑海峰 |
| 主权项 | 一种基于β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器，其特征在于由β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜、n型6H‑SiC衬底以及Ti/Au薄膜电极组成。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市江干经济开发区白杨街道2号大街928号 | ||