| 发明名称 | AlGaN渐变组分超晶格雪崩光电二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，自下至上依次包括：衬底；缓冲层；n型层；i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层；第一p型层；i型光敏吸收层；以及第二p型层，其中，i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层包括沿垂直于衬底表面方向叠置的N个周期结构104<sub>1</sub>～104<sub>N</sub>，N是大于等于1的整数，每个周期结构包括一个组分渐变层，组分渐变层的最下部的材料为Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N，最上部的材料为Al<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>N，其中0≤z＜y≤1，组分渐变层内任意位置的材料表示为Al<sub>c</sub>Ga<sub>1‑c</sub>N，随该位置到组分渐变层下表面的垂直距离d从0增加至该组分渐变层的厚度D，c从y渐变至z。本发明还提供了该半导体结构的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105742387A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610112141.1 | 申请日期 | 2016.02.29 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 汪莱;郑纪元;张静昌;郝智彪;罗毅 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I;H01L31/107(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 吕雁葭 |
| 主权项 | 一种半导体结构，自下至上依次包括：衬底；缓冲层；n型层；i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层；第一p型层；i型光敏吸收层；以及第二p型层，其中，i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层包括沿垂直于衬底表面方向叠置的N个周期结构104<sub>1</sub>～104<sub>N</sub>，N是大于等于1的整数，每个周期结构包括一个组分渐变层，组分渐变层的最下部的材料为Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N，最上部的材料为Al<sub>z</sub>Ga<sub>1‑z</sub>N，，其中0≤z＜y≤1，组分渐变层内任意位置的材料表示为Al<sub>c</sub>Ga<sub>1‑c</sub>N，随该位置到组分渐变层下表面的垂直距离d从0增加至该组分渐变层的厚度D，c从y渐变至z。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华园1号 | ||