发明名称 |
晶体硅太阳电池 |
摘要 |
本实用新型提出一种晶体硅太阳电池,包括硅片以及设置在所述硅片正面的四条主栅线、多条横向副栅线和环绕在所述硅片正面边缘处的边框电极栅线,所述横向副栅线与所述主栅线相垂直,所述硅片的正面包括位于该硅片中部的矩形的第二区域以及环绕该第二区域的第一区域,所述第二区域内的横向副栅线之间的间距小于所述第一区域内的横向副栅线之间的间距,所述四条栅线相互平行,且两条位于外侧的所述主栅线位于所述第二区域和第一区域的分界线,位于内侧的两条主栅线穿过所述第一区域和第二区域,所述主栅线的两端均延伸至所述边框电极栅线。本实用新型晶体硅太阳电池,提高了晶体硅太阳能电池的转换效率,降低了生产成本。 |
申请公布号 |
CN205376542U |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201521126191.2 |
申请日期 |
2015.12.29 |
申请人 |
内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 |
发明人 |
邹凯;和江变;周国华;马承鸿;李健 |
分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/05(2014.01)I |
主分类号 |
H01L31/0224(2006.01)I |
代理机构 |
北京律智知识产权代理有限公司 11438 |
代理人 |
阚梓瑄;路兆强 |
主权项 |
一种晶体硅太阳电池,包括硅片以及设置在所述硅片正面的四条主栅线、多条横向副栅线和环绕在所述硅片正面边缘处的边框电极栅线,所述横向副栅线与所述主栅线相垂直,其特征在于:所述硅片的正面包括位于该硅片中部的矩形的第二区域以及环绕该第二区域的第一区域,所述第二区域内的横向副栅线之间的间距小于所述第一区域内的横向副栅线之间的间距,所述四条栅线相互平行,且两条位于外侧的所述主栅线位于所述第二区域和第一区域的分界线,位于内侧的两条主栅线穿过所述第一区域和第二区域,所述主栅线的两端均延伸至所述边框电极栅线。 |
地址 |
010111 内蒙古自治区呼和浩特市如意开发工业新区 |