| 发明名称 | 具有斜面的衬底结构、磁阻传感器 | ||
| 摘要 | 本实用新型提出了一种具有斜面的衬底结构以及包含该衬底结构的磁阻传感器，所述具有斜面的衬底结构包括衬底、形成于所述衬底上的凹槽和/或凸台以及经过退火回流的硼磷硅玻璃或磷硅玻璃，所述硼磷硅玻璃或磷硅玻璃覆盖所述衬底和凹槽表面和/或所述衬底以及凸台表面。经过退火回流的硼磷硅玻璃或磷硅玻璃将使斜面变得平缓，有助于后续在斜面上形成Z轴磁阻条，为单芯片的三轴磁阻传感器的制造提供了可行性。 | ||
| 申请公布号 | CN205376584U | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201520930685.X | 申请日期 | 2015.11.19 |
| 申请人 | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰集成电路有限公司 | 发明人 | 陈雪平;闻永祥;刘琛;孙福河 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 余毅勤 |
| 主权项 | 一种具有斜面的衬底结构，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上的凹槽和/或凸台；以及经过退火回流的硼磷硅玻璃或经过退火回流的磷硅玻璃，所述硼磷硅玻璃或磷硅玻璃覆盖所述衬底和凹槽表面和/或所述衬底以及凸台表面。 | ||
| 地址 | 310012 浙江省杭州市黄姑山路4号 | ||