发明名称 |
一种银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法 |
摘要 |
本发明公开的银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1、利用RuO<sub>2</sub>粉、CuO粉和Ag粉制备出导电相;步骤2、利用SiO<sub>2</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、CaO、BaO、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、PbO以及Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>制备出改性铝硅玻璃相;步骤3、利用松油醇、纤维素、丁基卡必醇以及蓖麻油制备有机相;步骤4、将步骤1得到的导电相、步骤2得到的改性铝硅玻璃相以及步骤3得到的有机相混合均匀,即得到银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料。本发明银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法,解决现有厚膜电阻浆料低电阻和高TCR之间存在矛盾的问题,该方法对生产工艺和设备无特殊要求,便于推广和工业化生产。 |
申请公布号 |
CN105741903A |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201610299042.9 |
申请日期 |
2016.05.06 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
孙鹏;李智敏;张茂林;闫养希;黄云霞;郝跃 |
分类号 |
H01B1/20(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I;H01C7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01B1/20(2006.01)I |
代理机构 |
西安弘理专利事务所 61214 |
代理人 |
罗笛 |
主权项 |
银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料的制备方法,其特征在于,具体按照以下步骤实施:步骤1、分别称取RuO<sub>2</sub>粉、CuO粉和Ag粉,并利用称取的RuO<sub>2</sub>粉、CuO粉和Ag粉制备出导电相;步骤2、分别称取SiO<sub>2</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、CaO、BaO、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、PbO以及Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,并利用称取的SiO<sub>2</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、CaO、BaO、B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、PbO以及Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>制备出改性铝硅玻璃相;步骤3、利用松油醇、纤维素、丁基卡必醇以及蓖麻油制备出有机相;步骤4、将步骤1得到的导电相、步骤2得到的改性铝硅玻璃相及步骤3得到的有机相混合均匀,得到银掺杂改性二氧化钌厚膜电阻浆料。 |
地址 |
710071 陕西省西安市太白南路2号 |