发明名称 受光发光元件以及使用该受光发光元件的传感器装置
摘要 本发明的受光发光元件(1)具备:一导电型的半导体基板(2);具有层叠在半导体基板(2)的上表面的多个半导体层的发光元件(3a);在半导体基板(2)的上表面侧具有掺杂了逆导电型的杂质的逆导电型半导体区域(32)的受光元件(3b);和配置在半导体基板(2)的上表面并且成为受光元件(3b)的电极的第1电极焊盘(33A),一导电型的半导体基板(2)中的杂质浓度是第1电极焊盘(33A)的正下方的区域高于其他区域。
申请公布号 CN105745765A 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201480058890.X 申请日期 2014.10.30
申请人 京瓷株式会社 发明人 藤本直树
分类号 H01L31/12(2006.01)I;G01J1/02(2006.01)I;H01L33/02(2006.01)I 主分类号 H01L31/12(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李国华
主权项 一种受光发光元件,其特征在于,具备:一导电型的半导体基板;发光元件,其具有层叠在该半导体基板的上表面的多个半导体层;受光元件,其在所述半导体基板的上表面侧具有掺杂了逆导电型的杂质的逆导电型半导体区域;和第1电极焊盘,其配置在所述半导体基板的上表面,并且成为所述受光元件的电极,所述一导电型的半导体基板中的杂质浓度是所述第1电极焊盘的正下方的区域高于其他区域。
地址 日本京都府