半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底以及第一层间介质层；刻蚀去除第一伪栅，在第一区域第一层间介质层内形成第一开口；形成填充满第一开口的第一栅导电层，同时在外围区第一层间介质层表面形成第一导电附着层，且第一导电附着层的材料与第一栅导电层材料相同；采用第一斜边刻蚀处理，刻蚀去除外围区的第一导电附着层以及第一层间介质层，暴露出外围区基底表面；在第二区域的第一层间介质层内形成第二栅导电层；形成覆盖于所述第一层间介质层、第一栅导电层、第二栅导电层以及外围区基底上的第二层间介质层。本发明避免外围区基底上形成类型复杂的副产物，从而防止副产物从基底上剥落掉在其他基底上，提高半导体结构的生产良率。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底以及位于基底表面的第一层间介质层，所述基底包括器件区以及包围所述器件区的外围区，所述器件区包括第一区域以及第二区域，且所述第一区域第一层间介质层内形成有第一伪栅，所述第二区域第一层间介质层内形成有第二伪栅；刻蚀去除所述第一伪栅，在所述第一区域第一层间介质层内形成第一开口；形成填充满所述第一开口的第一栅导电层，且所述第一栅导电层顶部与第一区域第一层间介质层顶部齐平，同时在外围区第一层间介质层表面形成第一导电附着层，且所述第一导电附着层的材料与第一栅导电层材料相同；采用第一斜边刻蚀处理，刻蚀去除外围区的第一导电附着层以及第一层间介质层，暴露出外围区基底表面；在进行所述第一斜边刻蚀处理之后，刻蚀去除所述第二伪栅，在所述第二区域第一层间介质层内形成第二开口；形成填充满所述第二开口的第二栅导电层，且所述第二栅导电层顶部与第二区域第一层间介质层顶部齐平；形成覆盖于所述第一层间介质层、第一栅导电层、第二栅导电层以及外围区基底上的第二层间介质层。