发明名称 |
一种表面改性的SiC纳米线及其制备方法与应用 |
摘要 |
本发明公开了一种表面改性的SiC纳米线及其制备方法与应用,所述方法为:将SiC纳米线放置到管式烧结炉或可以气氛保护的加热装置中,通入氧气和氮气混合气流,然后启动加热,由室温加热至700~1400℃,控制加热速率为5~20℃/min,保温时间为30~120min,即可得到表面改性后的SiC纳米线。表面改性后的SiC纳米线为核壳结构的一维纳米材料,芯部为SiC,外层为SiO<sub>2</sub>,SiO<sub>2</sub>紧密包覆在SiC外面形成致密的包覆层,SiO<sub>2</sub>包覆层为非晶态,界面处的结合为原子尺度的紧密结合,外部的SiO<sub>2</sub>包覆层厚度可以控制为2nm~500nm。本发明解决了现有碳化硅纳米线在使用过程中的活性低、难分散、易氧化、界面结合差等问题,具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低、产率高的优点。 |
申请公布号 |
CN105733309A |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201511014849.5 |
申请日期 |
2015.12.31 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
张晓东;杨路路;周宇航;闫旭;黄小萧;温广武;侯思民;赵义;刘文会;刘璐 |
分类号 |
C09C1/28(2006.01)I;C09C3/06(2006.01)I |
主分类号 |
C09C1/28(2006.01)I |
代理机构 |
哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 |
代理人 |
高媛 |
主权项 |
一种表面改性的SiC纳米线,其特征在于所述表面改性的SiC纳米线为核壳结构的一维纳米材料,芯部为SiC,外层为SiO<sub>2</sub>,SiO<sub>2</sub>紧密包覆在SiC外面形成致密的包覆层,其中SiO<sub>2</sub>包覆层为非晶态,界面处的结合为原子尺度的紧密结合,SiO<sub>2</sub>包覆层厚度控制为2nm~500nm。 |
地址 |
150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |