垂直紫外线发光器件

摘要

公开了垂直紫外线发光器件，包括衬底、设置在衬底上的n型半导体层、设置在n型半导体层上的活性层、设置在活性层上并包括Al的空穴注入层、设置在空穴注入层上并包括Al的Al-δ层以及设置在Al-δ层上并具有比空穴注入层高的p型掺杂剂浓度的第一p型接触层，第一p型接触层具有比空穴注入层低的Al含量，第一p型接触层的带隙低于或等于从活性层发射的光的能量，Al-δ层具有比空穴注入层高的Al含量并使空穴通过遂穿Al-δ层进入活性层。在该器件中，空穴注入层和Al-δ层设置为p型半导体层以增加Al-δ层与p型半导体层之间的带隙差，使得空穴可以在限制界面处通过二维气体效应在竖直方向上更加均匀地注入到活性层中。

主权项

一种垂直紫外线发光器件，其特征在于，所述垂直紫外线发光器件包括：衬底；n型半导体层，设置在所述衬底上；活性层，设置在所述n型半导体层上；空穴注入层，设置在所述活性层上；Al‑δ层，设置在所述空穴注入层上；以及第一p型接触层，设置在所述Al‑δ层上，其中，所述Al‑δ层使空穴通过遂穿所述Al‑δ层进入所述活性层。