| 摘要 |
広い領域のピッチの微細凹凸構造の形状を十分に満足できる程度に調整することのできる成形型の製造方法を提供する。成形型の製造方法であって、反応性イオンエッチング装置内に、六フッ化硫黄と反応する半導体または金属の基材を配置し、六フッ化硫黄と酸素との混合ガスを導入し、プラズマドライエッチングプロセスにおいて、該基材の表面に酸化物を点在させ、該酸化物をエッチング防止マスクとして、六フッ化硫黄によって該基材の表面にエッチングを進行させることにより該基材の表面に、微細凹凸構造を形成し、その後、該微細凹凸構造の凸部の形状を調整するように該微細凹凸構造にイオンビームを照射する。 |
