电子器件

摘要

一种包括晶体管阵列的器件，该器件包括：位于衬底上的层堆叠中的下层级和上层级处的图案化导电层，所述图案化导电层限定所述晶体管阵列的栅极导体和源-漏电极；其中，所述层堆叠还包括在所述下层级之下的电介质层以及在所述电介质层之下的另一图案化导电层；其中，所述另一图案化导电层既经过所述电介质层提供所述晶体管阵列中的电功能，又限定开口，所述电介质层经由所述开口用于增加所述器件衬底与在所述下层级处的所述图案化导电层之间的粘接强度。

主权项

一种包括晶体管阵列的器件，该器件包括：位于衬底上的层堆叠中的下层级和上层级处的图案化导电层，所述图案化导电层限定所述晶体管阵列的栅极导体和源‑漏电极对；在所述源‑漏电极对的源‑漏电极之间提供半导体沟道的半导体层；其中，所述层堆叠还包括在所述下层级之下的电介质层以及在所述电介质层之下的另一图案化导电层；其中，所述另一图案化导电层既经过所述电介质层提供所述晶体管阵列中的电功能，又限定开口，所述电介质层经由所述开口用于增加所述器件的所述衬底与在所述下层级处的所述图案化导电层之间的粘接强度；其中，所述下层级导电层包括在所述下层级导电层内连接到漏电极的部分，所述另一图案化导电层限定所述下层级导电层的所述部分与其重叠的导电元件的阵列以用于经由所述电介质层与所述下层级导电层的所述部分电容性耦合，所述另一图案化导电层与所述半导体沟道不重叠，以及所述导电元件的阵列大于与所述导电元件的阵列重叠的所述下层级导电层的所述部分。