发明名称 包含两个功率半导体芯片的器件及其制造
摘要 包含两个功率半导体芯片的器件及其制造。一种器件,包含在第一面上具有第一接触焊盘和第二接触焊盘以及在第二面上具有第三接触焊盘的第一功率半导体芯片。该器件进一步包含在第一面上具有第一接触焊盘和第二接触焊盘以及在第二面上具有第三接触焊盘的第二功率半导体芯片。将该第一和第二功率半导体芯片布置成一个在另一个之上,并且该第一功率半导体芯片的第一面面向第二功率半导体芯片的第一面的方向。此外,该第一功率半导体芯片横向上至少部分地位于该第二功率半导体芯片的轮廓外部。
申请公布号 CN103199069B 申请公布日期 2016.07.06
申请号 CN201210599161.8 申请日期 2012.12.08
申请人 英飞凌科技股份有限公司 发明人 J·赫格劳尔;J·洛德迈耶;J·马勒;R·奥特伦巴
分类号 H01L23/488(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 马丽娜;朱海煜
主权项 一种包括第一功率半导体芯片和第二功率半导体芯片的器件,第一功率半导体芯片具有第一面和与第一面相对的第二面,其中第一接触焊盘和第二接触焊盘布置在第一面上且第三接触焊盘布置在第二面上;以及第二功率半导体芯片具有第一面和与第一面相对的第二面,其中第一接触焊盘和第二接触焊盘布置在第一面上并且第三接触焊盘布置在第二面上;其中布置该第一和第二功率半导体芯片以使得该第一功率半导体芯片的第一面面向第一方向并且该第二功率半导体芯片的第一面面向与第一方向相反的第二方向,以及其中该第一功率半导体芯片横向上至少部分地位于该第二功率半导体芯片的轮廓外部;进一步包含附着到该第一功率半导体芯片的第二面的第一金属层;其中该第一金属层将该第一功率半导体芯片的第三接触焊盘电耦合至该第二功率半导体芯片的第一接触焊盘。
地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
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