| 发明名称 | 一种利用特制偶联剂处理SiO<sub>2</sub>增强PEEK的制备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种利用特制偶联剂处理SiO<sub>2</sub>增强PEEK的制备方法，通过利用特制的耐高温硅烷偶联剂对已经进行过等离子体改性的SiO<sub>2</sub>进行二次改性处理，增强表面活性，通过熔融挤出法与PEEK进行共混，形成SiO<sub>2</sub>高利用率的增强PEEK复合材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105733180A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201410747062.9 | 申请日期 | 2014.12.10 |
| 申请人 | 黑龙江鑫达企业集团有限公司 | 发明人 | 刘刚;代汝军;马俊杰 |
| 分类号 | C08L61/16(2006.01)I;C08K9/06(2006.01)I;C08K9/00(2006.01)I;C08K3/36(2006.01)I | 主分类号 | C08L61/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种利用特制偶联剂处理SiO<sub>2</sub>增强PEEK的制备方法，通过利用特制的耐高温硅烷偶联剂对已经进行过等离子体改性的SiO<sub>2</sub>进行二次改性处理，增强表面活性,通过熔融挤出法与PEEK进行共混，形成SiO<sub>2</sub>高利用率的增强PEEK复合材料。 | ||
| 地址 | 150060 黑龙江省哈尔滨市平房区哈南一路9号 | ||