| 发明名称 | 金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属氧化物膜及金属氧化物膜的形成方法。提供一种包含晶体部且物理性质的稳定性高的金属氧化物膜。晶体部的尺寸小于或等于10nm，因此当测量区域大于或等于<img file="DDA0000970500720000011.GIF" wi="128" he="68" />且小于或等于<img file="DDA0000970500720000012.GIF" wi="149" he="69" />时，在金属氧化物膜的截面的纳米束电子衍射图案中观察到圆周状的斑点。 | ||
| 申请公布号 | CN105734493A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610250248.2 | 申请日期 | 2013.10.30 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 高桥正弘;广桥拓也;津吹将志;石原典隆;太田将志 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李英 |
| 主权项 | 一种金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，其为具有铟、镓、和锌的金属氧化物膜的制造方法，在氧的分压大于或等于33％的形成气氛中，使用包含多晶氧化物的一种溅射靶材，通过溅射法形成所述金属氧化物膜，所述溅射靶材具有铟、镓、和锌，所述金属氧化物膜具有晶体部，所述晶体部当形成所述金属氧化物膜时形成，所述晶体部的尺寸小于或等于10nm，所述金属氧化物膜具有在XRD测定中未观察到对应于所述晶体部的峰值的区域。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||