| 发明名称 | 一种带隙可调的层状杂合物薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种带隙可调的层状杂合物薄膜及其制备方法。杂合物薄膜材料为层状杂合物。采用以下方式制备而来：将碘苯乙胺、碘化亚锡、碘化铅以0.1≤x≤0.9化学计量比混合，用有机溶剂溶解，震荡搅拌5～60min，得到前驱体溶液；在惰性气氛环境中将前驱体溶液在基板上旋涂镀膜，然后热处理，得到杂合物薄膜。这种杂合物薄膜其晶体结构呈层状，并且当x＜0.7时在空气中有很好的稳定性，杂合物薄膜的带隙可随着x的不同而在1.91eV～2.33eV范围内调整。该类杂合物薄膜不仅由于使用Sn(Ⅱ)部分替代了Pb元素，减少了Pb的使用，有利于环境的保护，而且在光伏器件方面也有潜在的使用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN105742502A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201610169326.6 | 申请日期 | 2016.03.23 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | 发明人 | 刘韩星;杜湘军;刘克永;甘小燕;郭丽玲;郝华;曹明贺 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人 | 刘洋 |
| 主权项 | 一种带隙可调的层状杂合物薄膜，其特征在于包括杂合物薄膜材料，所述的杂合物薄膜材料为层状杂合物(C<sub>6</sub>H<sub>5</sub>C<sub>2</sub>H<sub>4</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>Sn<sub>x</sub>Pb<sub>1‑x</sub>I<sub>4</sub>，其中0.1≤x≤0.9。 | ||
| 地址 | 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 | ||