发明名称 |
双芯片并联联接封装结构 |
摘要 |
本实用新型提供了一种双芯片并联联接封装结构装片底板、E极引脚和B极引脚,所述装片底板上安装第一芯片和第二芯片,第一芯片的E极通过第一芯片E极导电引线连接E极引脚,第二芯片的E极通过第二芯片E极导电引线连接E极引脚,使第一芯片E极与第二芯片E极形成等电位;第一芯片的B极通过第一芯片B极导电引线连接B极引脚,第二芯片的B极通过第二芯片B极导电引线连接B极引脚,使第一芯片B极与第二芯片B极形成等电位。本实用新型的优点是:在同一结构中集成两个相同的芯片且两个芯片形成并联结构,两个芯片同时工作共同分担导通电流,使同一结构的导通电流增加一倍,但体积未变,节省有效使用空间,也有效地减少原材料的使用。 |
申请公布号 |
CN205376519U |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201521134666.2 |
申请日期 |
2015.12.31 |
申请人 |
无锡昌德微电子股份有限公司 |
发明人 |
黄昌民 |
分类号 |
H01L25/04(2014.01)I;H01L23/49(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/04(2014.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 |
代理人 |
曹祖良;韩凤 |
主权项 |
双芯片并联联接封装结构,包括装片底板(1)、E极引脚(6)和B极引脚(9),其特征是:所述装片底板(1)上安装第一芯片(2)和第二芯片(3),第一芯片(2)的E极通过第一芯片E极导电引线(4)连接E极引脚(6),第二芯片(3)的E极通过第二芯片E极导电引线(5)连接E极引脚(6),使第一芯片(2)E极与第二芯片(3)E极形成等电位;第一芯片(2)的B极通过第一芯片B极导电引线(7)连接B极引脚(9),第二芯片(3)的B极通过第二芯片B极导电引线(8)连接B极引脚(9),使第一芯片(2)B极与第二芯片(3)B极形成等电位。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园G2 |