发明名称 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体
摘要 【課題】複数の処理室を有する処理装置の生産性を向上する。【解決手段】基板を処理可能な複数の処理室であって、複数の処理室のそれぞれに処理ガスを供給可能な処理ガス供給部と、複数の処理室(チャンバ)のそれぞれにパージガスを供給可能なパージガス供給部1500と、複数の処理室のいずれか又は全てを排気可能な排気部1600とを持つ。複数の処理室の内、一つの処理室へ基板を搬送し、該一つの処理室以外の少なくとも一つの他の処理室へ基板200を搬送しない場合に、一つの処理室への前記処理ガスの供給と並行して他の処理室にパージガスを供給すると共に、一つの処理室と他の処理室を排気するように処理ガス供給部とパージガス供給部1500と排気部1600とを制御する。これにより、両方の処理室で処理を行う場合と同等の品質を確保しつつ、処理ガスの無駄な消費をなくす。【選択図】図2
申请公布号 JP5947435(B1) 申请公布日期 2016.07.06
申请号 JP20150167859 申请日期 2015.08.27
申请人 株式会社日立国際電気 发明人 廣地 志有
分类号 H01L21/31;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/205;H01L21/316;H01L21/677 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人
主权项
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