半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，表面具有第一鳍部和第二鳍部，所述第一鳍部和第二鳍部顶部具有硬掩膜层；在第一鳍部和第二鳍部两侧沟槽内形成绝缘层，所述绝缘层低于第一鳍部和第二鳍部；在绝缘层表面形成侧墙，所述侧墙覆盖硬掩膜层和第一鳍、第二鳍部的侧壁所述侧墙高度与硬掩膜层顶面齐平；去除第一鳍部顶部的硬掩膜层，暴露出第一鳍部的顶面，所述顶面与第一鳍部两侧侧墙形成沟槽；在第一鳍部顶部的沟槽内进行选择性外延，形成第三鳍部，所述第三鳍部高度与第一鳍部高度不同。所述半导体结构的形成方法可以在衬底上形多个具有不同高度的鳍部，有利于根据需要来调整鳍式场效应晶体管的总的沟道宽度，提高电路的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有第一区域和第二区域，所述第一区域表面具有第一鳍部，所述第二区域表面具有第二鳍部，所述第一鳍部顶部具有第一硬掩膜层，所述第二鳍部顶部具有第二硬掩膜层；在第一鳍部和第二鳍部两侧沟槽内形成绝缘层，所述绝缘层高度低于第一鳍部和第二鳍部的高度；在绝缘层表面形成侧墙，所述侧墙分别覆盖第一硬掩膜层和第一鳍部的侧壁以及第二硬掩膜层和第二鳍部的侧壁，所述侧墙高度与第一硬掩膜层和第二硬掩膜层顶面齐平；去除第一鳍部顶部的第一硬掩膜层，暴露出第一鳍部的顶面，所述顶面与第一鳍部两侧侧墙形成沟槽；在第一鳍部顶部的沟槽内进行选择性外延，形成第三鳍部，所述第三鳍部高度与第一鳍部高度不同；去除第二鳍部顶部的第二硬掩膜层，暴露出第二鳍部的顶面，所述顶面与第二鳍部两侧侧墙形成沟槽；在第二鳍部顶部的沟槽内进行选择性外延形成第四鳍部，所述第四鳍部高度与第二鳍部高度不同。