| 发明名称 | 氧化物烧结体及其制造方法、溅射靶、以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为主要成分的红绿柱石型晶相且具有高于6.8g/cm<sup>3</sup>且等于或低于7.2g/cm<sup>3</sup>的表观密度，氧化物烧结体中的钨对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％，以及氧化物烧结体中的锌对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％。也提供一种制造氧化物烧结体的方法，包括氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶的溅射方法形成氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN105745183A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201580002686.0 | 申请日期 | 2015.06.18 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 宫永美纪;绵谷研一;曾我部浩一;粟田英章 |
| 分类号 | C04B35/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中所述氧化物烧结体包括作为主要成分的红绿柱石型晶相，所述氧化物烧结体具有高于6.8g/cm<sup>3</sup>且等于或低于7.2g/cm<sup>3</sup>的表观密度，所述氧化物烧结体中的钨对铟、钨和锌的总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％，以及所述氧化物烧结体中的锌对铟、钨和锌的总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||