一种无静态功耗的电平转换电路

摘要

本发明公开了一种无静态功耗的电平转换电路，包括反相器电路、转换电路、开关电路和输出电路；本发明提供的无静态功耗的电平转换电路可以实现不同的电平之间的转换，在转换完成后，整个电路中无直流通路，因此该电路在电平转换完成后不产生静态功耗。

主权项

一种无静态功耗的电平转换电路，其特征在于，所述的无静态功耗的电平转换电路包括反相器电路、转换电路、开关电路和输出电路；反相器电路包括第一CMOS反相器、第二CMOS反相器和第三CMOS反相器；第一CMOS反相器包括晶体管M1和晶体管M2；晶体管M1与晶体管M2的栅极均连接到输入端Vin，晶体管M1的源极接地，晶体管M1的漏极接到晶体管M2的漏极，晶体管M2的源极接低电压阈电压Vdd‑low；第二CMOS反相器包括晶体管M3和晶体管M4；晶体管M3的栅极接到晶体管M2的漏极，晶体管M3的源极接地，晶体管M3的漏极接到晶体管M4的漏极，晶体管M4的栅极接到晶体管M3的栅极，晶体管M4的源极接低电压阈电压Vdd‑low；第三CMOS反相器包括晶体管M5和晶体管M6；晶体管M6的栅极接到晶体管M4的漏极，晶体管M6的源级接到低电压阈电压Vdd‑low，晶体管M6的漏极接到晶体管M5的漏极，晶体管M5的栅极接到晶体管M6的栅极，晶体管M5的源级接地；转换电路包括晶体管M7、晶体管M8、晶体管M9、晶体管M10、晶体管M11、晶体管M12、晶体管M13、晶体管M14、晶体管M15、晶体管M16、晶体管M17、晶体管M18、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1、电容C2；晶体管M13的源级接到低电压阈电压Vdd‑low；电阻R1的一端接到晶体管M13的源级，电阻R1的另一端接到晶体管M13的漏极；电容C1的一端接到晶体管M13的漏极，电容C1的另一端接到晶体管M5的漏极；晶体管M8的栅极接到晶体管M2的漏极，晶体管M8的源级接到低电压阈电压Vdd‑low，晶体管M8的漏级接到晶体管M7的漏极；晶体管M7的栅极接到晶体管M8的栅极；电阻R2一端接到晶体管M14的源级，电阻R2的另一端接到晶体管M14的漏极；电容C2的一端接到晶体管M14的漏极，电容C2的另一端接到晶体管M7的漏极；晶体管M14的栅极接输出端Vout，晶体管M14的源级接到晶体管M8的源级，晶体管M14的漏极接到晶体管M12的漏极；晶体管M12的源级接到晶体管M11的源极，晶体管M12的栅极接到晶体管M13的栅极；晶体管M11的栅极接输出端Vout，晶体管M11的漏极接到晶体管M13的漏极；晶体管M15的栅极接到晶体管M12的源级，晶体管M15的漏极接到晶体管M17的漏极，晶体管M15的源级接到晶体管M9的漏极；晶体管M9的栅极接到晶体管M5的栅极，晶体管M9的源级接地；电阻R3的一端接到晶体管M17的源级，电阻R3的另一端接到晶体管M17的漏极；晶体管M17的源级接高电压阈电压Vdd‑high，晶体管M17的栅极接到晶体管M18的漏极；晶体管M18的源级接到高电压阈电压Vdd‑high，晶体管M18的栅极接到晶体管M17的漏极，晶体管M18的漏极接到晶体管M16的漏极；晶体管M16的栅极接到晶体管M15的栅极，晶体管M16的源级接到晶体管M10的漏极；晶体管M10的栅极接到晶体管M8的栅极，晶体管M10的源级接地；电阻R4的一端接到晶体管M18的源级，电阻R4的另一端接到晶体管M18的漏极；开关电路包括与非门NAND1和与非门NAND2；与非门NAND1包括两个输入端、一个使能端EN和一个输出端；与非门NAND2包括两个输入端和一个输出端；与非门NAND1的其中一个输入端接到转换电路中晶体管M18的漏极，与非门NAND1的另一个输入端接到与非门NAND2的输出端；与非门NAND2的其中一个输入端接到晶体管M18的栅极，与非门NAND2的另一个输入端接到非门NAND1的输出端；输出电路包括晶体管M19、晶体管M20、晶体管M21、晶体管M22；晶体管M19的栅极接到开关电路中与非门NAND2的输出端，晶体管M19的源级接地，晶体管M19的漏极接到晶体管M21的漏极；晶体管M21的源级接到高电压阈电压Vdd‑high，晶体管M21的栅极接到晶体管M22的漏极，晶体管M21的漏极接到转换电路中晶体管M13的栅极；晶体管M22的源级接到高电压阈电压Vdd‑high，晶体管M22的栅极接到晶体管M21的漏极，晶体管M22的漏极接到晶体管M20的漏极；晶体管M20的漏极接到输出端Vout，晶体管M20的栅极接到开关电路中的与非门NAND1的输出端，晶体管M20的源级接地。