发明名称 |
薄膜晶体管阵列面板及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管阵列面板及其制作方法。薄膜晶体管阵列面板包括:基板;薄膜晶体管,薄膜晶体管包括:栅极;半导体层;源极;以及漏极;绝缘层,绝缘层设置在栅极和基板上;蚀刻阻挡层,蚀刻阻挡层设置于半导体层及绝缘层上;电极层,电极层包括第一电极部和第二电极部,第一电极部设置于源极上,第一电极部用于对源极进行覆盖和保护,第二电极部设置于漏极上,第二电极部用于对漏极进行覆盖和保护;其中,半导体层设置于绝缘层上,蚀刻阻挡层设置有第一通孔和第二通孔,源极和漏极分别通过第一通孔和第二通孔与半导体层连接。本发明能简化薄膜晶体管阵列面板的制作工艺,节省制作成本。 |
申请公布号 |
CN105742297A |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201610226945.4 |
申请日期 |
2016.04.13 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
周志超;夏慧 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 |
代理人 |
黄威 |
主权项 |
一种薄膜晶体管阵列面板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列面板包括:基板;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:栅极;半导体层;源极;以及漏极;绝缘层,所述绝缘层设置在所述栅极和所述基板上;蚀刻阻挡层,所述蚀刻阻挡层设置于所述半导体层及所述绝缘层上;电极层,所述电极层包括第一电极部和第二电极部,所述第一电极部设置于所述源极上,所述第一电极部用于对所述源极进行覆盖和保护,所述第二电极部设置于所述漏极上,所述第二电极部用于对所述漏极进行覆盖和保护;其中,所述半导体层设置于所述绝缘层上,所述蚀刻阻挡层设置有第一通孔和第二通孔,所述源极和所述漏极分别通过所述第一通孔和所述第二通孔与所述半导体层连接。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |