| 发明名称 | 具有多个位错面的FinFET及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种FinFET器件，包括：位于衬底上方的第一半导体鳍部；位于衬底上方的第二半导体鳍部，其中，第一半导体鳍部和第二半导体鳍部被第一隔离区分隔开；连接至第一半导体鳍部和第二半导体鳍部的第一漏极/源极区；以及位于第一隔离区下面的第一位错面，其中，第一位错面在与第一半导体鳍部的纵轴相平行的第一方向上延伸。本发明还提供了一种形成FinFET器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105742354A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201510585250.0 | 申请日期 | 2015.09.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄志翔;林大文 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种器件，包括：第一半导体鳍部，位于衬底上方；第二半导体鳍部，位于所述衬底上方，其中，所述第一半导体鳍部和所述第二半导体鳍部被第一隔离区分隔开；第一漏极/源极区，连接至所述第一半导体鳍部和所述第二半导体鳍部；以及第一位错面，位于所述第一隔离区的下面，其中，所述第一位错面在与所述第一半导体鳍部的纵轴相平行的第一方向上延伸。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||