一种直接制备出τ相Mn-Al或Mn-Al-C的方法

摘要

本发明涉及一种直接制备出τ相Mn‑Al或Mn‑Al‑C的方法。首先利用单质Mn和Al，获得合适的原子配比为Mn_xAl_100‑x，其中51<x<61；或者利用单质Mn、Al和C，获得合适的原子配比为Mn_xAl_100‑x‑yC_y，其中51<x<61，0<y≤5；然后将单质通过电弧熔炼制备合金铸锭，将该合金铸锭利用熔体快淬或速凝方法即得到τ相Mn‑Al或Mn‑Al‑C速凝薄片；或者将单质混合后直接进行熔体快淬或速凝，即得到τ相Mn‑Al或Mn‑Al‑C速凝薄片。本发明能够简化制备工艺和缩短制备时间，直接制备出τ相Mn‑Al或Mn‑Al‑C，从而拓宽MnAl磁粉及磁体生产制备和实际应用的领域。

主权项

一种直接制备出τ相Mn‑Al的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)利用元素单质Mn和Al，获得合适的原子配比为Mn_xAl_100‑x，其中51<x<61；2)将步骤1)的单质Mn和Al，通过电弧熔炼制备合金铸锭，然后将该合金铸锭利用熔体快淬或速凝方法即得到τ相Mn‑Al速凝薄片；或者将步骤1)的单质Mn、Al混合后直接进行熔体快淬或速凝，即得到τ相Mn‑Al速凝薄片。