双重自对准金属氧化物TFT

摘要

本发明公开了双重自对准金属氧化物TFT。具体，本发明公开了在透明衬底上制造金属氧化物TFT的方法，包括以下步骤：在所述衬底的正面上布置不透明栅极金属区域，沉积覆盖所述栅极金属和周围区域的透明栅极电介质层和透明金属氧化物半导体层，在所述半导体材料上沉积透明钝化材料，在所述钝化材料上沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去被曝光部分，蚀刻所述钝化材料以留下界定沟道区域的钝化区域，在所述钝化区域上方沉积透明导电材料，在导电材料上方沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去未曝光的部分，和蚀刻所述导电材料以在沟道区域的相对侧上留下源极区域和漏极区域。

主权项

使用不需要临界掩蔽步骤的双重自对准方法在透明衬底上制造金属氧化物TFT的方法，所述方法包括以下步骤：提供具有正面和背面的透明衬底；使用非临界图形化技术，在不含中间层的衬底的正面上直接布置不透明栅极金属，以界定TFT的栅极区域；在衬底的正面上沉积覆盖栅极金属和周围区域的透明栅极电介质层；在透明栅极电介质层的表面上沉积透明无定形金属氧化物半导体材料层，所述无定形金属氧化物层包含以下之一：ZnO、InO、AlZnO、ZnInO、InAlZnO、InGaZnO、ZnSnO、GaSnO、InGaCuO、InCuO和AlCuO；在金属氧化物半导体材料层上沉积钝化材料层；从衬底的背面将部分钝化材料层曝光，并除去钝化材料层的被曝光部分，留下覆盖栅极区域并界定TFT的沟道区域的钝化区域，所述沟道区域的沟道长度为10微米或更低；在金属氧化物半导体材料层上沉积导电材料和钝化材料；和在沟道区域的相对侧上蚀刻覆盖钝化材料的导电材料以形成源极区域和漏极区域。