化合物硼酸钠镉晶体的生长方法

摘要

本发明涉及一种化合物硼酸钠镉晶体的生长方法，该方法将硼酸钠镉化合物与助溶剂B₂O₃-R体系或Na₂B₄O₇混合，加热，恒温，再冷却，得到含硼酸钠镉与助溶剂的混合熔液，将装在籽晶杆上的籽晶放入制备的混合熔体中，同时旋转籽晶杆，冷却，然后缓慢降温，得到所需晶体，将晶体提离液面，降至室温，即得到化合物硼酸钠镉晶体。该方法生长速度快，成本低，可生长20mm×20mm×10mm与高光学质量的Na₂Cd₇B₈O₂₀晶体，通过本发明所述方法获得的晶体机械性能好，不易碎裂，不潮解，易加工。

主权项

一种硼酸钠镉晶体的生长方法，其特征在于按下列步骤进行：a、将硼酸钠镉多晶粉末与助熔剂B₂O₃‑R体系或Na₂B₄O₇进行混合，以温度5‑20℃/h的升温速率加热至温度800‑1000℃，恒温20‑50小时，再冷却至750‑850℃，得到混合熔液，其中助熔剂B₂O₃‑R体系中的R为NaF或NaCl；b、在温度730‑830℃条件下，快速将籽晶杆下入到熔液中，待其产生漂晶，恒温0.5h漂晶不化，然后以温度0.5‑2℃/h的速率缓慢降温至700‑800℃，然后将籽晶杆提出液面，以温度10–50℃/h的速率降至室温，得到硼酸钠镉Na₂Cd₇B₈O₂₀籽晶；c、再配制混合熔液：将硼酸钠镉多晶粉末与助熔剂B₂O₃‑R体系或Na₂B₄O₇进行混合，以温度5‑20℃/h的升温速率加热至温度800‑1000℃，恒温10‑50小时，快速降温至750‑850℃，得到硼酸钠镉与助溶剂的混合熔液，其中助熔剂B₂O₃‑R体系中的R为NaF或NaCl；d、将籽晶固定在籽晶杆上，放入步骤c制备的混合熔液中，以10‑50转/分的旋转速率旋转籽晶杆，恒温30分钟‑6小时后，快速降温至745‑837℃，然后以温度0.5‑5℃/天的速率缓慢降温，待到晶体生长结束后，将晶体提离液面，以温度10‑100℃/小时的速率降至室温，即得到化合物硼酸钠镉晶体。