发明名称 |
湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法 |
摘要 |
本发明提供了一种湿法刻蚀设备及湿法刻蚀方法,该湿法刻蚀设备包括:金属离子浓度调节装置,用于调节刻蚀液中金属离子的浓度;喷淋装置,所述喷淋装置与所述金属离子浓度调节装置相连,所述喷淋装置用于喷洒所述刻蚀液。本发明提供的湿法刻蚀设备可以避免刻蚀液中金属离子浓度的变化对刻蚀速率的影响,有效提高刻蚀稳定性,进而提升产品的良率。 |
申请公布号 |
CN105742213A |
申请公布日期 |
2016.07.06 |
申请号 |
CN201610128624.0 |
申请日期 |
2016.03.07 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
薛大鹏 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
李相雨 |
主权项 |
一种湿法刻蚀设备,其特征在于,包括:金属离子浓度调节装置,用于调节刻蚀液中金属离子的浓度;喷淋装置,所述喷淋装置与所述金属离子浓度调节装置相连,所述喷淋装置用于喷洒所述刻蚀液。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |