| 发明名称 | 蚀刻处理方法和蚀刻处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及蚀刻处理方法和蚀刻处理装置。[课题]本发明目的在于，抑制深度负载而提高氧化硅膜的蚀刻速率。[解决手段]提供一种蚀刻处理方法，其中，将用于冷却载置台的制冷器的温度控制在-20℃以下，通过由第1高频电源施加的第1高频电力，由气体供给源供给的含氢气体和含氟气体生成等离子体，利用生成的前述等离子体对前述载置台上的基板的氧化硅膜进行蚀刻处理，前述蚀刻处理后的除电处理中，由第2高频电源对前述载置台施加频率低于第1高频电力的频率的第2高频电力。 | ||
| 申请公布号 | CN105742148A | 申请公布日期 | 2016.07.06 |
| 申请号 | CN201510998480.X | 申请日期 | 2015.12.25 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 竹田谅平;高岛隆一;大矢欣伸 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种蚀刻处理方法，其特征在于，将用于冷却载置台的制冷器的温度控制在‑20℃以下，通过由第1高频电源施加的第1高频电力，由气体供给源供给的含氢气体和含氟气体生成等离子体，利用生成的所述等离子体对所述载置台上的基板的氧化硅膜进行蚀刻处理，所述蚀刻处理后的除电处理中，由第2高频电源对所述载置台施加频率低于第1高频电力的频率的第2高频电力。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||